Pat
J-GLOBAL ID:200903033686852599
エポキシ樹脂組成物の製造法及び半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001260566
Publication number (International publication number):2003064154
Application date: Aug. 30, 2001
Publication date: Mar. 05, 2003
Summary:
【要約】【課題】 成形後や半田処理時の反りが小さく、耐半田クラック性に優れた特性を有するエポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】(A)ビフェニル型エポキシ樹脂を30〜100重量%含むフェノール樹脂、(C)球状無機充填材を全エポキシ樹脂組成物中80〜90重量%含む球状無機充填材、(D)硬化促進剤及び(E)ゴム粒子よりなるエポキシ樹脂組成物の製造方法において、前記ゴム粒子とエポキシ樹脂及び/又はフェノール樹脂の全部或いは一部と予め混合した後、該ゴム粒子混合物と前記の残余の各成分を混練することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
Claim (excerpt):
(A)式(1)で示されるエポキシ樹脂を30〜100重量%含むエポキシ樹脂、(B)式(2)で示されるフェノール樹脂を30〜100重量%含むフェノール樹脂、(C)球状無機充填材を全エポキシ樹脂組成物中80〜90重量%含む球状無機充填材、(D)硬化促進剤及び(E)ゴム粒子よりなるエポキシ樹脂組成物の製造方法において、前記ゴム粒子とエポキシ樹脂及び/又はフェノール樹脂の全部或いは一部と予め混合した後、該ゴム粒子混合物と前記の残余の各成分を混練することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。【化1】【化2】(nは平均値で1〜10の正数)
IPC (8):
C08G 59/24
, C08G 59/62
, C08J 3/20 CFC
, C08K 7/18
, C08L 21/00
, C08L 63/00
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (7):
C08G 59/24
, C08G 59/62
, C08J 3/20 CFC Z
, C08K 7/18
, C08L 21/00
, C08L 63/00 Z
, H01L 23/30 R
F-Term (71):
4F070AA06
, 4F070AA07
, 4F070AA08
, 4F070AA23
, 4F070AA32
, 4F070AA44
, 4F070AA46
, 4F070AA53
, 4F070AA60
, 4F070AC15
, 4F070AC23
, 4F070AC46
, 4F070AC55
, 4F070AE01
, 4F070AE08
, 4F070FB06
, 4F070FC03
, 4J002AC06Y
, 4J002AC07Y
, 4J002AC08Y
, 4J002BD12Y
, 4J002BG04Y
, 4J002CC04X
, 4J002CD05W
, 4J002CK02Y
, 4J002CP03Y
, 4J002DE147
, 4J002DJ017
, 4J002EU116
, 4J002EU136
, 4J002EW016
, 4J002EY016
, 4J002FD017
, 4J002FD090
, 4J002FD130
, 4J002FD156
, 4J002FD160
, 4J002GQ05
, 4J036AC02
, 4J036AD04
, 4J036AD07
, 4J036AD08
, 4J036AD10
, 4J036AE07
, 4J036AF05
, 4J036AF06
, 4J036AF08
, 4J036AF15
, 4J036AJ18
, 4J036DC40
, 4J036DC46
, 4J036DD07
, 4J036FA03
, 4J036FA05
, 4J036FB03
, 4J036FB05
, 4J036FB08
, 4J036FB10
, 4J036FB16
, 4J036GA04
, 4J036GA06
, 4J036JA07
, 4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA21
, 4M109DB17
, 4M109EA03
, 4M109EB03
, 4M109EB04
, 4M109EB12
, 4M109EB19
Patent cited by the Patent: