マイクロシステムに機能電界障壁を発生させるための電極構造

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000556876
Publication number (International publication number)：2002519176
Application date： Jun. 28, 1999
Publication date： Jul. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】マイクロシステムにおいて機能電界障壁を発生させるための電極構造を提供する。【解決手段】チャネル内での懸濁液中の分子の誘電泳動の操作のために具備されているマイクロシステム内の電極構造において、少なくとも1つのミクロ電極が少なくとも部分的にチャネルを覆う基準面に沿って電界障壁を発生させるためにチャネルの側面方向の壁に配列されており、基準面が流れの方向を基準にした所定の曲率を有するように、ミクロ電極がチャネルの流れの方向に対して所定の曲率または所定の角度を有する。本発明の1つの実施形態に従って、分子のマイクロシステム内での移動は、遠心力および/または引力の影響を受けて発生する。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つのミクロ電極が、少なくとも部分的にチャネルを覆う基準面に沿って電界障壁を発生させるためのチャネルの側壁に配置されいる、チャネル内の懸濁液の中での分子の誘電泳動の操作に適応されているマイクロシステムでの電極構造において、前記ミクロ電極は、基準面が流れの方向に対して所定の曲率を有するように、チャネル内での流れの方向に対して所定の曲率または所定の角度を有することを特徴とする電極構造。

IPC (4)：

B03C 5/02 , B03C 5/00 , C12M 1/42 , G01N 27/447

FI (4)：

B03C 5/02 , B03C 5/00 Z , C12M 1/42 , G01N 27/26 331 A

F-Term (14)：

4B029AA07 , 4B029AA09 , 4B029BB01 , 4B029CC01 , 4B029FA04 , 4B029FA15 , 4B029HA05 , 4B029HA09 , 4B029HA10 , 4D054FB01 , 4D054FB09 , 4D054FB11 , 4D054FB18 , 4D054FB20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特公昭54-006824
特開昭58-014962
特表平4-501979

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