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J-GLOBAL ID：200903033738010338

高電気抵抗を有する磁気抵抗膜

Inventor： 小林 伸聖 ,  大沼 繁弘 ,  増本 健
Applicant, Patent owner： 財団法人電気磁気材料研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996281232
Publication number (International publication number)：1998092639
Application date： Sep. 17, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【目的】本発明は、高い電気比抵抗を有し、室温においてMR比の値が3%以上の大きな磁気抵抗効果を示し、且つ高い磁場感度を示す良好な磁性膜を提供することを目的とする。【構成】一般式(Co1-aFea)100-x-yMxOyで表され、MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Sr,Zr,Nb,Ba,Hf,Ta,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素であり、かつ組成比aは0≦a≦1で、そのx,yは原子比率で、10≦x≦40、20≦y≦50、30≦x+y≦70である組成と少量の不純物からなり、室温で3%以上の磁気抵抗効果を示す高電気抵抗を有する磁気抵抗膜。

Claim (excerpt)：

一般式(Co1-aFea)100-x-yMxOyで表され、MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Sr,Zr,Nb,Ba,Hf,Ta,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素であり、かつ組成比aは0≦a≦1で、そのx,yは原子比率で、10≦x≦4020≦y≦5030≦x+y≦70である組成と少量の不純物からなり、室温で3%以上の磁気抵抗効果を示す高電気抵抗を有する磁気抵抗膜。

IPC (5)：

H01F 10/16 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/10

FI (5)：

H01F 10/16 ,  G11B 5/31 C ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/10 ,  G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高電気比抵抗磁性薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-088565   Applicant：財団法人電気磁気材料研究所
• 特開平4-062806