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J-GLOBAL ID：200903033742843050

微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法

Inventor：
本郷 廣生

About 本郷 廣生


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 高橋 詔男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999130608
Publication number (International publication number)：2000323461
Application date： May. 11, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ナノインプリントによるパターニングのアライメント可能な微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法を提供する。【解決手段】 ナノインプリントのモールドを、光等を透過可能なモールド基板に設け、このモールド基板に位置参照用のマークを設ける。ウェハにも、モールド基板のマークに対応したマークを形成する。モールド基板でのモールドの位置決めを精度良く行うために、ナノインプリントのモールドは、モールド基板にマークを形成した後に、マーク位置を参照して形成する。モールド基板にモールドとマークを形成することによって、ウェハ上側から、光等によってモールド基板を透過してモールド基板のマークとウェハのマークを同時に観察・参照することでウェハとモールドとの相対位置をアライメントする。
Claim (excerpt)：
ウェハに一括パターン形成する微細パターン形成装置において、パターン形成手段が光、電子、イオン、またはX線を透過させるパターン形成基板に設けられることを特徴とする微細パターン形成装置。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/027
FI (3)：
H01L 21/302 J ,  H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/30 502 Z
F-Term (8)：
5F004AA16 ,  5F004EA00 ,  5F004EA33 ,  5F046AA28 ,  5F046ED01 ,  5F046FA05 ,  5F046FA08 ,  5F046FA14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 薄膜パターン製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-270458   Applicant：株式会社日立製作所
  • 特開昭57-184220
  • フォトマスク基板
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-031971   Applicant：ソニー株式会社
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