ウエット処理方法および処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995184892
Publication number (International publication number)：1997010712
Application date： Jun. 28, 1995
Publication date： Jan. 14, 1997
Summary：

【要約】【目的】薬品及び超純水の使用量が少なく、高温プロセスを経ることなく、廃液処理が容易であり、しかもハイドロカーボン除去率が極めて高いウエット処理方法及びウエット処理装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板、ガラス基板、電子部品およびこれらの製造装置部品等の被ウエット処理物を、水中にオゾン又はオゾンと微量の希ガスを含有する超純水で処理する方法であって、これに20kHz以上の超音波を照射しながら被処理物をウエット処理することを特微とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板、ガラス基板、電子部品およびこれらの製造装置部品等の被ウエット処理物を、水中にオゾン又はオゾンと微量の希ガスを含有する超純水で処理する方法であって、これに20kHz以上の超音波を照射しながら被処理物をウエット処理することを特微とするウエット処理方法。

IPC (2)：

B08B 3/12 , H01L 21/304 341

FI (2)：

B08B 3/12 A , H01L 21/304 341 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-305926
特開平4-354334
半導体ウェーハを流体中で処理する方法および装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-504711 Applicant：レガシーシステムズインコーポレイテッド

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