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J-GLOBAL ID：200903033798595564

MRAMメモリ

Inventor：
ハンス シュースター-ヴォルダン

About ハンス シュースター-ヴォルダン

, 
ジークフリード シュワルツ

About ジークフリード シュワルツ


Applicant, Patent owner：
インフィニオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

About インフィニオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト


Agent (1)： 瀧野 秀雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001116879
Publication number (International publication number)：2001358315
Application date： Apr. 16, 2001
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】 本発明の目的は最小のエリア必要条件を有するMRAMメモリを提供することである。【解決手段】 半導体基板(4)上に少なくとも一つのメモリセル層を配備しメモリセルアレイ(2)内の磁気抵抗メモリ要素(6a、6b)と接触させた磁気抵抗メモリ要素(6a、6b)を備えるメモリセルアレイ(2)と;るためのワードライン(7)とビットライン(8、9)と;ワードおよびビットライン(7、8、9)を介してをメモリセルアレイ(2)内の磁気抵抗メモリ要素(6a、6b)を駆動するためのドライブ論理装置(5a、5b、5c)とを有し、このドライブ論理装置(5a、5b、5c)が半導体基板(4)内部およびその上方のメモリセルアレイ(2)の下方に一体形成されているMRAMメモリである。
Claim (excerpt)：
MRAMであって、(a)半導体基板(4)上に少なくとも一つのメモリセル層を配備した磁気抵抗メモリ要素(6a、6b)を備えるメモリセルアレイ(2)と;(b)メモリセルアレイ(2)内で磁気抵抗メモリ要素(6a、6b)と接触させるためのワードライン(7)とビットライン(8、9)と;(c)ワードおよびビットライン(7、8、9)を介してをメモリセルアレイ(2)内の磁気抵抗メモリ要素(6a、6b)を駆動するためのドライブ論理構成(5a、5b、5c)とを有し、このドライブ論理構成(5a、5b、5c)が半導体基板(4)内およびその上のメモリセルアレイ(2)の下方に一体形成されているMRAMメモリ。
IPC (5)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 43/08
FI (6)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
F-Term (11)：
5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA10 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA20 ,  5F083ZA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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