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J-GLOBAL ID：200903011525727901

半導体記憶装置及びデータ処理装置

Inventor： 石井 智之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001008434
Publication number (International publication number)：2001274355
Application date： Jan. 17, 2001
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】高速書換を可能としながら面積増大の少ない半導体記憶装置を提供する。また、小面積で大容量、または高速動作、低消費電力動作の半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体基板表面にロジック回路やバッファメモリ、センスアンプ等の周辺回路またはその一部を設け、絶縁膜を介してその上にメモリセルを設ける。

Claim (excerpt)：

同一チップ上に構成された二種類以上のメモリセルアレーを有し、上記メモリセルアレーの少なくとも二種類が上下の位置関係に設けられていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (12)：

H01L 27/10 461 ,  G11C 5/02 ,  G11C 11/41 ,  G11C 11/401 ,  G11C 16/02 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (10)：

H01L 27/10 461 ,  G11C 5/02 ,  H01L 27/00 301 A ,  G11C 11/34 345 ,  G11C 11/34 371 K ,  G11C 17/00 601 E ,  G11C 17/00 601 Z ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 半導体不揮発性記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-300678   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体記憶素子、半導体記憶装置とその制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-015369   Applicant：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
• 3次元デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-049883   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭62-219550
  
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-182052   Applicant：川崎製鉄株式会社
• メモリ素子およびその製造方法、並びに集積回路および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-321377   Applicant：ソニー株式会社
• テスト機能を備える記憶装置及びメモリのテスト方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-335614   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 半導体メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-348377   Applicant：松下電子工業株式会社