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J-GLOBAL ID：200903033814469213

安定性の向上した少数キャリア半導体素子及びその向上方法

Inventor： ステファン・エー・ストックマン ,  ダニエル・エー・ステイガーウォルド ,  チャングア・チェン
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 上野 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996142481
Publication number (International publication number)：1996330626
Application date： Jun. 05, 1996
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】少数キャリア半導体素子は、いくつかの理由により、動作中に劣化する可能性があるが、これを有効に防止し、信頼性の高い安定した半導体素子及びその信頼性を向上させる方法を提供することである。【解決手段】少数キャリア半導体素子の製造過程におけるエピタキシャル成長ステップにおいて、III-V族の光電子半導体素子に不純物を意図的にドープする。通常、これらの不純物は深い準位のトラップとみなされ、光電子半導体素子においては望ましくない。しかしながら、これらの不純物は、活性領域に隣接する層に対して、劣化プロセス、とりわけ、望ましくない欠陥の形成及び伝搬に対する障壁の働きをするので、半導体素子の効率を損なうことなく少数キャリア半導体素子の動作安定性を向上させることが出来る。

Claim (excerpt)：

少数キャリアの再結合寿命が最長化される活性領域16と、深い準位の不純物、反応性不純物、及び、浅い補償不純物のグループからの不純物がドープされ、半導体素子の動作時に活性領域において最長化された少数キャリアの再結合寿命を維持する、活性領域に隣接した少なくとも1つの領域14と、半導体素子に設けられるコンタクト領域23、21を含む、少数キャリア半導体素子10。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-234766   Applicant：株式会社東芝