窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体基板

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：沖川寛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006355008
Publication number (International publication number)：2008162855
Application date： Dec. 28, 2006
Publication date： Jul. 17, 2008
Summary：

【課題】貫通ピットや貫通クラックが存在するために事実上使用不可能であった自立基板を半導体素子の工程に流せるようにし、基板の生産歩留まりを著しく向上させ、貴重で高価な窒化物半導体基板の提供。【解決手段】表面から裏面まで貫通する貫通ピット8又は貫通クラックをその製造過程で有する窒化物半導体の自立基板7に対し、前記貫通ピット8又は貫通クラックに窒化物を形成可能な金属を付着させた後、前記金属を窒化させて窒化物を形成し、前記窒化物により前記貫通ピット又は貫通クラックを埋める。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

表面から裏面まで貫通する貫通ピット又は貫通クラックをその製造過程で有する窒化物半導体の自立基板に対し、前記貫通ピット又は貫通クラックに窒化物を形成可能な金属を付着させた後、前記金属を窒化させて窒化物を形成し、前記窒化物により前記貫通ピット又は貫通クラックを埋めることを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , C30B 33/00

FI (3)：

C30B29/38 D , H01L21/205 , C30B33/00

F-Term (16)：

4G077AA02 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077FJ10 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 5F045AA01 , 5F045AB14 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB13 , 5F045DA53 , 5F045DQ08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

窒化ガリウム単結晶基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-127926 Applicant：三星コーニング株式会社
特許3631724号公報
特許3744155号公報

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