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J-GLOBAL ID：200903035819303154

単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板

Inventor： 元木 健作 ,  笠井 仁 ,  岡久 拓司
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000207783
Publication number (International publication number)：2002029897
Application date： Jul. 10, 2000
Publication date： Jan. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないGaN基板の製造方法およびGaN基板を提供すること。【解決手段】 GaN単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてGaN成長させる。

Claim (excerpt)：

GaN単結晶の成長における成長方向と平行な面でスライス加工することを特徴とする単結晶GaN基板の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3)：

C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

F-Term (17)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077DB08 ,  4G077FG16 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体基板および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-145199   Applicant：ソニー株式会社
• GaN単結晶基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-183446   Applicant：住友電気工業株式会社
• 窒化ガリウム系半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-292684   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (3)

• 半導体基板および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-145199   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化ガリウム系半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-292684   Applicant：株式会社東芝
• GaN単結晶基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-183446   Applicant：住友電気工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 昇華法によるバルクGaNの結晶成長および物性評価

Cited by examiner (1)

• 昇華法によるバルクGaNの結晶成長および物性評価