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J-GLOBAL ID：200903033825644718

半導体蛍光体の製造方法

Inventor：
中川路 藤人

About 中川路 藤人


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005370937
Publication number (International publication number)：2007169525
Application date： Dec. 22, 2005
Publication date： Jul. 05, 2007
Summary：
【課題】環境に有害でなく、量子効率の高い蛍光体を製造しうる半導体蛍光体の製造方法を提供する。【解決手段】AgBrおよびAgIの少なくとも一種以上と、InCl3およびInI3の少なくとも一種以上と、ZnおよびSの少なくとも一方を含む化合物一種以上とを液体中にて反応させ、環境に有害でなく、量子効率の高いZnαAgβInSγ(α=0.1〜1、β=0.1〜1、γ=2〜4)化合物からなる半導体蛍光体1を作製することを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
AgBrおよびAgIの少なくとも一種以上と、InCl3およびInI3の少なくとも一種以上と、ZnおよびSの少なくとも一方を含む化合物一種以上とを液体中にて反応させ、ZnαAgβInSγ(α=0.1〜1、β=0.1〜1、γ=2〜4)化合物からなる半導体蛍光体を作製することを特徴とする半導体蛍光体の製造方法。
IPC (3)：
C09K 11/62 ,  C09K 11/08 ,  H01L 33/00
FI (3)：
C09K11/62 ,  C09K11/08 A ,  H01L33/00 N
F-Term (16)：
4H001CA02 ,  4H001CC02 ,  4H001CC07 ,  4H001CF01 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA47 ,  4H001XA49 ,  5F041DA02 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA42 ,  5F041DA43 ,  5F041DA78
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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