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J-GLOBAL ID：200903033864755276
ガスセンサとその製造方法及びガス検出方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
塩入 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999077263
Publication number (International publication number)：2000275201
Application date： Mar. 23, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【構成】 パルス駆動形のガスセンサを、低濃度のHMDS雰囲気中で通電し、シリコーンをガスセンサの金属酸化物半導体内に付着させる処理を行う。シリコーン処理後のガスセンサを用いて、加熱パルス後の室温付近の特性から、1ppm以下の硫化水素やアンモニアを検出する。【効果】 硫化水素やアンモニア等の悪臭を高感度で検出でき、エタノール等の臭いに対する選択性を増す。
Claim (excerpt)：
ガス検出用の金属酸化物半導体とヒータとを備えて、該ヒータにより前記金属酸化物半導体を、周期的にかつパルス的に加熱して、該パルスとパルスとの間は、前記金属酸化物半導体を室温付近の温度に放置するようにしたガスセンサにおいて、前記金属酸化物半導体が、珪素化合物に暴露されて、珪素化合物を付着させたものとしたことを特徴とする、ガスセンサ。
F-Term (13)：
2G046AA04
, 2G046AA10
, 2G046BA01
, 2G046BB02
, 2G046BE03
, 2G046DA05
, 2G046DB02
, 2G046DD03
, 2G046EA02
, 2G046EB01
, 2G046FA06
, 2G046FB02
, 2G046FE39
Cited by examiner (2)
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特開平1-316651
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水素ガス検知素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-091078
Applicant：新コスモス電機株式会社
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