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J-GLOBAL ID：200903033885161767

半導体レーザの製法

Inventor： 田中 治夫 ,  尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994222020
Publication number (International publication number)：1996088432
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 無効電流が少なく、簡単な製法で電流注入領域を制御でき、しかもチッ化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体レーザにおいても、電流注入領域を簡単に制御できる半導体レーザの製法を提供する。【構成】 (a)基板1上に少なくともn型層4、活性層5およびp型層6を含み、半導体レーザを構成するチッ化ガリウム系化合物半導体を積層し、(b)該積層された半導体層の電流注入領域におけるp型層を活性化し、(c)前記積層された半導体層の電流注入領域以外の領域におけるp型層を不活性化状態に維持することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

(a)基板上に少なくともn型層、活性層およびp型層を含み、半導体レーザを構成するチッ化ガリウム系化合物半導体を積層し、(b)該積層された半導体層の電流注入領域におけるp型層を活性化し、(c)前記積層された半導体層の電流注入領域以外の領域におけるp型層を不活性化状態に維持することを特徴とする半導体レーザの製法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化ガリウム系化合物半導体のp型化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-124889   Applicant：日亜化学工業株式会社