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J-GLOBAL ID：200903033921737735

ドライエッチング方法およびハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法

Inventor：
山嵜 司

About 山嵜 司

, 
松尾 正

About 松尾 正


Applicant, Patent owner：
凸版印刷株式会社

About 凸版印刷株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001351382
Publication number (International publication number)：2003149788
Application date： Nov. 16, 2001
Publication date： May. 21, 2003
Summary：
【要約】【課題】位相差面内分布を向上させ、かつパターン線幅および断面形状の制御ができる位相シフトマスクの製造方法を提供することが望まれていたものである。【解決手段】金属酸化物、半導体酸化物、金属酸窒化物、半導体酸窒化物、金属窒化物および半導体窒化物からなる群から選ばれる物質からなる透明性膜と、金属、金属酸窒化物、半導体酸窒化物、金属窒化物および半導体窒化物からなる群から選ばれる物質からなる前記透明性膜よりも遮光性が高い遮光性膜において、透明性膜と遮光性膜とのエッチング選択比Sを1<S<3の範囲の所定値にしてドライエッチングする方法を提供するものである。
Claim (excerpt)：
金属酸化物、半導体酸化物、金属酸窒化物、半導体酸窒化物、金属窒化物および半導体窒化物からなる群から選ばれる物質からなる透明性膜と、金属、金属酸窒化物、半導体酸窒化物、金属窒化物および半導体窒化物からなる群から選ばれる物質からなる前記透明性膜よりも遮光性が高い遮光性膜において、透明性膜と遮光性膜とのエッチング選択比Sを1<S<3の範囲の所定値にしてドライエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (3)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/302 A
F-Term (12)：
2H095BB03 ,  2H095BB16 ,  2H095BC04 ,  5F004AA04 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB13 ,  5F004EA03 ,  5F004EB07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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