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J-GLOBAL ID：200903065073906113

フォトマスクの製造方法

Inventor：
須田 秀喜

About 須田 秀喜


Applicant, Patent owner：
ホーヤ株式会社

About ホーヤ株式会社


Agent (1)： 萩原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996244898
Publication number (International publication number)：1998048808
Application date： Sep. 17, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：
【要約】【課題】 速いエッチング速度を維持でき、かつサイドエッチが少なく高精度のパターニングが可能となり、信頼性の高い良好なフォトマスクを製造できるフォトマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】 酸素(O2 )および4弗化炭素(CF4 )に3弗化メタン(CHF3 )を添加してなる混合ガスによるドライエッチングによって、ハーフトーン型位相シフトマスクの光半透過部(薄膜パターン)を形成する。
Claim (excerpt)：
金属およびシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜のパターンを基板上に形成するフォトマスクの製造方法において、少なくとも下記のA群およびB群の各々の中から選ばれる1種以上のガスを主たる構成要素とする混合ガスによるドライエッチングによって前記薄膜パターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。A群...CF4 ,SF6 ,CCl4B群...H2 ,CHF3 ,C2 F6 ,C3 F8 ,C4 F8 ,CH2 F2
IPC (3)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (4)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 21/302 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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