極低誘電率化学調剤用のイオン系添加物

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：長谷川芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001106073
Publication number (International publication number)：2002026003
Application date： Apr. 04, 2001
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】多孔質シリコン酸化物をベースにした膜を堆積するための前駆体溶液調剤を提供する。【解決手段】前駆体溶液調剤には、シリコン酸化物、水、溶媒中に精製された非イオン系界面活性剤と添加物とが含まれる。添加物は、酸性の前駆体溶液中でアンモニウムイオン種の塩を作るアミン添加物又はイオン系添加物である。この前駆体溶液調剤を使うことにより、2.5よりも小さい誘電率、適切な力学的特性、及び最小レベルのアルカリ金属不純物を有する膜を形成することができる。1つの実施形態においては、界面活性剤を精製して、テトラアンモニウム塩及びアミン等のアミン添加物又はイオン系添加物を、前駆体原液に加えることによって達成される。

Claim (excerpt)：

基板にわたって誘電層を形成するプロセスであって、シリコン酸化物、水、溶媒、非イオン系界面活性剤、イオン系添加物及び酸触媒の可溶性源を含む溶液で前記基板を塗布するステップ、前記溶液を多孔質シリコン酸化物膜に硬化させるために、前記塗布された基板を処理するステップ、を含む、前記プロセス。

IPC (6)：

H01L 21/316 , B05D 5/12 , B05D 7/24 302 , C09D 5/25 , C09D183/02 , H01L 21/768

FI (8)：

H01L 21/316 G , H01L 21/316 P , B05D 5/12 D , B05D 7/24 302 Y , C09D 5/25 , C09D183/02 , H01L 21/90 P , H01L 21/90 V

F-Term (35)：

4D075BB16X , 4D075BB26Z , 4D075BB28Z , 4D075BB93Z , 4D075CA02 , 4D075CA23 , 4D075CA47 , 4D075DA06 , 4D075DC22 , 4D075EA06 , 4D075EA12 , 4D075EB43 , 4D075EB47 , 4D075EC07 , 4D075EC35 , 4D075EC37 , 4D075EC54 , 4J038DL021 , 4J038DL032 , 4J038DL082 , 4J038JA35 , 4J038JB01 , 4J038KA04 , 4J038KA06 , 4J038KA09 , 4J038NA21 , 5F033RR04 , 5F033RR29 , 5F033SS22 , 5F033XX24 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BF46 , 5F058BH01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

セラミックフィルムの形成方法及びセラミックフィルム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-372712 Applicant：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド

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