キラルなフタロシアニン誘導体の希土類錯体およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992320647
Publication number (International publication number)：1994157535
Application date： Nov. 30, 1992
Publication date： Jun. 03, 1994
Summary：

【要約】【構成】2回実効対称性以下の対称性を有する、2つの置換フタロシアニネ-ト・イオンが希土類(III) イオンを挟む形で配位した錯体。この錯体は、合成された置換フタロシアニンのマグネシウム(II)錯体を形成した後、所望の置換フタロシアニン・マグネシウム(II)錯体を分離・精製し、さらにマグネシウム(II)イオンを脱離させて得た置換フタロシアニネ-ト・イオンをジリチウム塩とした後希土類(III) イオンと反応させることにより得る。【効果】二次および三次の非線形光学感受率が高く非線形光学素子用材料として好適である。また、分子不斉を有するキラルな錯体であるため良く配向制御された薄膜を形成することができる。さらに、レ-ザ-照射により容易にラジカル型に変換し、塩基性物質によって中性の非ラジカル型に戻る特性を有しており、光記録媒体としても有用である。

Claim (excerpt)：

2回実効対称性以下の対称性が低い2つの置換フタロシアニネ-ト・イオンが、希土類(III) イオンを挟む形で配位した分子不斉を有する錯体。

IPC (2)：

C07D487/22 , G02F 1/35 504

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-106159
特開平2-055769
特開平3-206091

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