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J-GLOBAL ID：200903034048838127

半導体チップ、半導体チップの端子の形成方法及び半導体チップの接合方法

Inventor： 林田 英徳 ,  上田 重昭
Applicant, Patent owner： 株式会社ワールドメタル
Agent (1)： 田治米 登 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994292249
Publication number (International publication number)：1995183327
Application date： Oct. 31, 1994
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体チップの入出力端子の半田づけ性、基板に対する接着性、ボンディング性を大きく向上させ、半田バンプを形成することなく半導体チップを基板へワイヤーレスボンディングで直接的に実装できるようにする。【構成】 半導体チップの入出力端子を、アルミニウム等の基材金属層2と、その上に順次積層されたニッケル薄層3及び貴金属薄層4とから構成する。基材金属層2の表面を塩化パラジウム等のパラジウム水溶液で下地処理した後に、ニッケル薄層3及び貴金属薄層4をそれぞれ無電解メッキ法により形成する。

Claim (excerpt)：

入出力端子が、基材金属層とその上に順次積層されたニッケル薄層及び貴金属薄層とからなることを特徴とする半導体チップ。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭63-305532
  
• 電極の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-141430   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体素子の電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-015188   Applicant：松下電器産業株式会社
• チップマウント方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-074302   Applicant：株式会社ワールドメタル, ハイソール株式会社
• 特開昭63-305532