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J-GLOBAL ID：200903034091781406
半導体レーザ素子およびその自励発振強度の調整方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994220677
Publication number (International publication number)：1995170011
Application date： Sep. 14, 1994
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体レーザ素子において、自励発振を確実に行うことができる素子構造を実現するとともに、駆動電流,駆動電圧の低減により低消費電力を図り、しかも出射レーザ光のだ円率を小さく抑える。【構成】 第1クラッド層102,つまり基板側のクラッド層の屈折率を、第2クラッド層105,つまり電流光閉じ込め層側のクラッド層の屈折率より大きくし、しかも上記第1クラッド層102と活性層104との間に、第1クラッド層より屈折率の低い低屈折率層103を介在させた。
Claim (excerpt)：
活性層を、これより屈折率の小さい第1導電型の第1クラッド層及び第2導電型の第2クラッド層の間に挟み込んでなり、レーザ光を発生させるための半導体積層構造と、該第2クラッド層の、該活性層とは反対側の表面上に形成された第2導電型のストライプ状半導体層を有し、レーザ駆動電流及びレーザ光を該活性層の、該ストライプ状半導体層に対応する領域に閉じ込めるための電流光閉込め手段とを備え、該半導体積層構造は、該第1クラッド層の屈折率が該第2クラッド層の屈折率より大きく、かつ該第1クラッド層と該活性層との間に、該第1クラッド層より屈折率の小さい第1導電型の半導体層を少なくとも一層有するものである半導体レーザ素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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