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J-GLOBAL ID：200903034096697489

半導体レーザ素子搭載用サブキャリアおよび半導体レーザモジュール

Inventor： 井上 友喜 ,  下井 功次
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999150149
Publication number (International publication number)：2000340878
Application date： May. 28, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザ素子に対して迅速かつ高精度な温度制御を行なうことができない。また、サブキャリアおよびモジュールが大型化してしまう。【解決手段】 基板7上に、半導体レーザ素子4を搭載するための搭載部8と、この搭載部8を取り囲むようにして形成された測温素子5とを具備している半導体レーザ素子搭載用サブキャリアおよびこれを使用した半導体レーザモジュールである。半導体レーザ素子4と測温素子5との距離が短く、半導体レーザ素子4の全周にわたる方向からの熱を略均一に受けることができ、迅速かつ高精度の温度制御が可能となる。また、測温素子5の占有領域が小さいのでサブキャリア1を小型化でき、その分モジュールも小型化できる。

Claim (excerpt)：

基板上に、半導体レーザ素子を搭載するための搭載部と、該搭載部を取り囲むようにして形成された測温素子とを具備して成ることを特徴とする半導体レーザ素子搭載用サブキャリア。

IPC (2)：

H01S 5/024 ,  G02B 6/42

FI (2)：

H01S 3/18 614 ,  G02B 6/42

F-Term (13)：

2H037AA01 ,  2H037BA02 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA06 ,  2H037DA36 ,  2H037DA38 ,  5F073FA06 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22 ,  5F073FA25 ,  5F073GA14 ,  5F073GA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-204011
  
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-069693   Applicant：三菱電機株式会社
• レーザダイオードモジユール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-249248   Applicant：三菱電機株式会社