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J-GLOBAL ID：200903034116350537

高電子移動度トランジスタ

Inventor： 吉田 清輝
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996343405
Publication number (International publication number)：1998189944
Application date： Dec. 24, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 電子走行層の電子移動度が高いGaN系の高電子移動度トランジスタを提供する。【解決手段】 電子走行層がGaN系化合物半導体層からなり、電子供給層が電子走行層よりバンドギャップエネルギーの大きいGaN系化合物半導体層からなる高電子移動度トランジスタであって、前記電子走行層はIn、AsまたはPを1×1019cm-3以上、5×1020cm-3以下含む。

Claim (excerpt)：

電子走行層がGaN系化合物半導体層からなり、電子供給層が前記電子走行層よりバンドギャップエネルギーの大きいGaN系化合物半導体層からなる高電子移動度トランジスタであって、前記電子走行層はIn、AsまたはPを1×1019cm-3以上、5×1020cm-3以下含むことを特徴する高電子移動度トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-045809   Applicant：シャープ株式会社