化合物半導体成長層及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢口平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996047593
Publication number (International publication number)：1997246596
Application date： Mar. 05, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体発光装置の発光強度の増大をもたらす新たな成長雰囲気による窒素を含む III-V族化合物半導体薄膜の気相成長方法を提供する。【解決手段】水素と分子量(M)の第VIII族元素の単原子分子気体の混合比率(r)を0.80{(M’-2)/(M-2)}≦r≦1.2{(M’-2)/(M-2)}とする混合気体の雰囲気中で含窒素 III-V族化合物半導体を成長する成長法により、バンド端のフォトルミネッセンス強度(I0 )と550nm以上650nm以下の波長領域に中心波長を有するフォトルミネッセンス発光の強度(I)との強度比(I0 /I)を10以上とする含窒素 III-V族化合物半導体を成長させる。このうち、I0 /Iを20以上とする含窒素 III-V族化合物半導体層を発光層とする。

Claim (excerpt)：

バンド端のフォトルミネッセンス発光強度(I0 )と550nm以上650nm以下の波長領域に中心波長を有するフォトルミネッセンス発光の強度(I)との比(I0 /I)が10以上である含窒素 III-V族化合物半導体成長層。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

窒化インジウムガリウム半導体およびその成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-106554 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-106555 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平4-164895

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Cited by examiner (1)

窒化インジウムガリウム半導体およびその成長方法
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