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J-GLOBAL ID：200903034157134032

ペロブスカイト・マンガネート材料にもとづく新規な磁気抵抗素子

Inventor： ジョナサン・ザンホン・サン ,  アラナバ・ガプタ ,  ガン・キアノ ,  フィリップ・ルイス・スローイロウド ,  フィリッペ・ピィ・レコエア
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997053689
Publication number (International publication number)：1998012945
Application date： Mar. 07, 1997
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 添加ペロブスカイト・マンガネート薄膜を強磁性要素として用い、3層構造を通じて電流が輸送される、3層薄膜磁気抵抗素子を提供すること。【解決手段】 3層薄膜磁気抵抗素子が、第1のまたは最下部の薄膜磁性層2と、第2のまたは中間の層3と、第3のまたは最上部の薄膜磁性層4とを含み、前記第1または第3の層の少なくとも一方が添加マンガネート・ペロブスカイトである。約2倍の大きな磁気抵抗変化が、前記要素材料の飽和保磁力に近い150Oe以下の低磁場において獲得される。この素子は、マンガネート内の低磁場スピン依存輸送が達成され、結果の磁気抵抗の大きさが磁気抵抗磁場センサ・アプリケーションに好適であることを示している。

Claim (excerpt)：

第1のまたは最下部の薄膜磁性層と、第2のまたは中間の層と、第3のまたは最上部の薄膜磁性層と、を含み、前記第1または第3の層の少なくとも一方が添加マンガネート・ペロブスカイトである、3層薄膜磁気抵抗素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/00

FI (4)：

H01L 43/08 M ,  H01L 43/08 Z ,  H01F 10/00 ,  G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-020975   Applicant：株式会社日立製作所
• 容量素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-000043   Applicant：日本電気株式会社