サリサイド・プロセスに基づくCMOSセンサ中で使用するウエル-基板フォトダイオード

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999502820
Publication number (International publication number)：2002505035
Application date： Jun. 03, 1998
Publication date： Feb. 12, 2002
Summary：

【要約】ウエル(203)-基板(200)ダイオードを光検出器として有する画像センサである。好ましい実施形態では、現在のサリサイド(CMOS)プロセスを利用して、この画像センサを製造する。ダイオード接合の上のフィールド酸化膜領域(207)は可視光に対して透明であり、したがって、このフォトダイオードを、非サリサイド・プロセスに基づいて製作したソース/ドレイン拡散-基板フォトダイオードを有するデバイスに劣らない量子効率にすることができる。フォトダイオードは、センサ・アレイの一部として、比較的修正していないデジタルCMOS製作プロセスを使用してデジタル回路と一体化することができる。さらに、ウエル-基板構造は、もう1つの同様のウエル中に構築したFETの特性にほぼ1次に悪影響を及ぼすことなくウエルを修正することによって、フォトダイオードの光学的性質を設計することができるようにする。

Claim (excerpt)：

入射光信号を電気信号に変換するフォトダイオードであって、第1の導電型の半導体材料の基板層と、第2の導電型の半導体材料のウエルとを含み、ウエルが基板中に配置され、pn接合がそれらの間に定められ、ウエルと基板が前記フォトダイオードの感光領域となっているフォトダイオード。

IPC (3)：

H01L 27/146 , H01L 31/10 , H04N 1/028

FI (3)：

H04N 1/028 Z , H01L 27/14 A , H01L 31/10 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭58-177084
特開平2-159890
固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-304570 Applicant：株式会社日立製作所

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