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J-GLOBAL ID：200903034230593822

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 松尾 浩司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002087505
Publication number (International publication number)：2003282875
Application date： Mar. 27, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】同一の半導体基板上に、所謂、メタルゲート電極層を備え、異なる閾値電圧のトラジスタを複数設ける場合、製造工程が煩雑化し、エッチングの加工精度も低いものとなる。従って、回路設計上の自由度を高めることも困難である。【解決手段】シリコン基板100上に、アルミニウム酸化膜102(=ゲート絶縁膜)を介し、シリコン中の固溶限度以上の量で金属材(例:インジウム(In)、アンチモン(Sb))が導入された多結晶シリコンゲート層110、111を形成する。その後、熱処理を施して、アルミニウム酸化膜(Al203)102との界面の位置に、インジウム(In)析出層118、アンチモン(Sb)析出層119を同時に形成する。シリコン100基板上には、仕事関数の異なるゲート電極層120、及びゲート電極層121を設け、閾値電圧の異なるトランジスタを形成することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、このゲート電極層の両側の位置に形成されたソース領域、及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間のチャネル領域とを備え、前記ゲート電極層は、多結晶シリコン層と、前記ゲート絶縁膜と前記多結晶シリコン層の間に形成され、電子濃度が1.0×1021個/cm3 以上の金属層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (9)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/786

FI (7)：

H01L 21/28 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/58 G

F-Term (70)：

4M104AA01 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104DD78 ,  4M104DD90 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BG14 ,  5F110AA01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE31 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ08 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BD11 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF14 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BF47 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG32 ,  5F140BG33 ,  5F140BG34 ,  5F140BG44 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CF00 ,  5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-124405   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-237157
  
• 相補型半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-358922   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-278847   Applicant：シチズン時計株式会社
• 特開昭63-240047