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J-GLOBAL ID：200903034277381289

III-V族窒化物半導体のエッチング方法

Inventor： 茜 俊光 ,  杉岡 幸次 ,  緑川 克美
Applicant, Patent owner： 理化学研究所
Agent (1)： 上島 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999064291
Publication number (International publication number)：2000260742
Application date： Mar. 11, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】III-V族窒化物半導体をエッチング加工する際に、高速加工を行うことができるとともに加工面を高度に平坦化することができるようにしたIII-V族窒化物半導体のエッチング方法を提供する。【解決手段】III-V族窒化物半導体の表面をエッチング加工するIII-V族窒化物半導体のエッチング方法において、III-V族窒化物半導体に対してパルスレーザー光を照射する第1のステップと、第1のステップにおいてパルスレーザー光を照射したIII-V族窒化物半導体を酸によって処理する第2のステップとを有する。

Claim (excerpt)：

III-V族窒化物半導体の表面をエッチング加工するIII-V族窒化物半導体のエッチング方法において、III-V族窒化物半導体に対してパルスレーザー光を照射する第1のステップと、前記第1のステップにおいてパルスレーザー光を照射した前記III-V族窒化物半導体を酸によって処理する第2のステップとを有するIII-V族窒化物半導体のエッチング方法。

F-Term (4)：

5F043AA05 ,  5F043BB06 ,  5F043DD02 ,  5F043DD19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化物半導体のエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-035920   Applicant：シャープ株式会社
• 化合物半導体表面の清浄化方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-135669   Applicant：日本電信電話株式会社