窒化物半導体のエッチング方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997035920
Publication number (International publication number)：1998233385
Application date： Feb. 20, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】窒化物系化合物半導体をエッチングすることによって、形成される端面の形状や垂直性が十分制御でき、かつ再現性の良いエッチング方法は確立していなかった。そこで、本発明は再現性良くかつ制御性の良い水溶液中のエッチングの方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明では、窒化物半導体のエッチング方法として、窒化物半導体結晶に結晶欠陥を発生させ、その後、エッチング液を用いて該半導体結晶をエッチングする方法を用いることによって上記課題を解決した。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体結晶に結晶欠陥を発生させ、その後、エッチング液を用いて該窒化物半導体結晶をエッチングすることを特徴とする窒化物半導体のエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/306 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/306 E , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-073855 Applicant：株式会社東芝
特開昭55-145344
特開昭59-213135

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