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J-GLOBAL ID：200903034347331527

エレクトレット構造及びその形成方法

Inventor： 島田 治 ,  山岡 徹 ,  三由 裕一 ,  小倉 洋
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (10)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005060577
Publication number (International publication number)：2006245398
Application date： Mar. 04, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：

【課題】 電荷保持能力に優れたエレクトレット構造を提供する。 【解決手段】 絶縁膜3の上に、エレクトレットとなるシリコン酸化膜1がパターニング形成されている。シリコン酸化膜1を覆うように絶縁膜2が形成されている。シリコン酸化膜1の上端部が丸く形成されていると共に、絶縁膜2におけるシリコン酸化膜1の上端部を覆う部分も丸く形成されている。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上にパターニング形成され且つ電荷を蓄えているシリコン酸化膜と、 前記シリコン酸化膜を覆うように形成された第2の絶縁膜とを備え、 前記シリコン酸化膜の上端部は丸く形成されていることを特徴とするエレクトレット構造。

IPC (3)：

H01G 7/02 ,  H04R 19/01 ,  H04R 19/04

FI (3)：

H01G7/02 D ,  H04R19/01 ,  H04R19/04

F-Term (4)：

5D021CC03 ,  5D021CC08 ,  5D021CC19 ,  5D021CC20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• シリコン酸化膜エレクトレット及びエレクトレットコンデンサマイクロホン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-138536   Applicant：南内嗣, ホシデン株式会社