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J-GLOBAL ID：200903034378791135
選択成膜マスク及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994320202
Publication number (International publication number)：1996176799
Application date： Dec. 22, 1994
Publication date： Jul. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、マスクと被成膜基板との間に隙間が生じにくく、且つ微細なマスクパターン加工ができるようにした選択成膜マスク及びその製造方法を提供する。【構成】 本発明によると、マスク材料として異方性エッチングが可能な半導体基板を用いて、被成膜用基板を保持する溝と選択成膜する開口部とを形成してなることを特徴とする選択成膜マスクが提供される。また、本発明によると、半導体基板の表面に被成膜用基板の位置出し用となる第1の溝を形成する工程と、前記半導体基板の裏面に前記被成膜用基板に選択成膜するための成膜パターン用となる第2の溝を形成する工程とを具備してなることを特徴とする選択成膜マスクの製造方法が提供される。
Claim (excerpt)：
マスク材料として異方性エッチングが可能な半導体基板を用いて、被成膜用基板を保持する溝と選択成膜する開口部とを形成してなることを特徴とする選択成膜マスク。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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