窒化物含有半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康 , 高橋佳大
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004255467
Publication number (International publication number)：2006073802
Application date： Sep. 02, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：

【課題】高アバランシェ耐量を有する、高耐圧且つ超低オン抵抗の窒化物含有電力用半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の実施の一形態に係る窒化物含有半導体装置は、ソース電極4に電気的に接続され、ゲート電極6よりもドレイン電極5側に突出して延在するp型窒化ガリウム(GaN)層3が、バリア層としてのノンドープ又はn型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)層2上に形成されているものである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

チャネル層として形成されたノンドープの第1の窒化アルミニウムガリウム(AlxGa1-xN(0≦x≦1))層と、前記第1の窒化アルミニウムガリウム層上にバリア層として形成されたノンドープ又はn型の第2の窒化アルミニウムガリウム(AlyGa1-yN(0≦y≦1,x<y))層と、前記第2の窒化アルミニウムガリウム層上の所定領域に所定間隔ごとに形成されたストライプ状の部分を有するp型の第3の窒化アルミニウムガリウム(AlzGa1-zN(0≦z≦1))層と、前記第3の窒化アルミニウムガリウム層の一端に電気的に接続されるように前記第2の窒化アルミニウムガリウム層上に形成されたソース電極と、前記第3の窒化アルミニウムガリウム層の他端から離隔して前記第2の窒化アルミニウムガリウム層上に形成されたドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間であって前記第3の窒化アルミニウムガリウム層の他端よりも前記ソース電極寄りに前記第2の窒化アルミニウムガリウム層上に形成されたゲート電極と、を備えていることを特徴とする窒化物含有半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/06 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L29/80 H , H01L29/06 301F , H01L29/80 Q , H01L29/78 301B

F-Term (29)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102FA06 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR07 , 5F102GR09 , 5F102GR12 , 5F102GR13 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB18 , 5F140BH30 , 5F140BH47 , 5F140CD08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

GaN電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-347307 Applicant：日本電信電話株式会社

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