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J-GLOBAL ID：200903067181096139

GaN電界効果トランジスタ

Inventor： 塩島 謙次 ,  重川 直輝
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 雨宮 正季
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999347307
Publication number (International publication number)：2001168111
Application date： Dec. 07, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】 短チャネル効果を抑制し、高耐圧のGaN電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 GaNチャネル層2上にソース電極3、ゲート電極4およびドレイン電極5を形成したGaN電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層の下にp型GaN層7を形成し、前記チャネル層を前記p型GaN層上層とゲート電極で挟む構成としたことを特徴とする。【効果】 高周波、高出力用GaN電界効果トランジスタが実現できる。

Claim (excerpt)：

GaNチャネル層上にソース電極、ゲート電極およびドレイン電極を形成したGaN電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層の下にp型GaN層を形成し、前記チャネル層を前記p型GaN層上層とゲート電極で挟む構成としたことを特徴とするGaN電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

F-Term (12)：

5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-103002   Applicant：古河電気工業株式会社
• ショットキー接合形FET
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-207350   Applicant：沖電気工業株式会社