Pat
J-GLOBAL ID：200903034432416507

光半導体素子およびその製造方法

Inventor：
八木 茂

About 八木 茂


Applicant, Patent owner：
富士ゼロックス株式会社

About 富士ゼロックス株式会社


Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997361219
Publication number (International publication number)：1999195808
Application date： Dec. 26, 1997
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】 広範囲の光学ギャップが自由に選べ、優れた光導電特性と高速応答性かつ耐環境特性や耐高温度特性を有し光学的に活性で、大面積で、安価な新しいオプトエレクトロニクス材料となりえる非単結晶材料を用いた光半導体素子を提供する。【解決手段】 基板上に、少なくとも、第一の層と第一の層より光学ギャップの小さい第二の層とを交互に積層し、さらに第二の層の光学ギャップより大きい光学ギャップを有する第三の層を積層してなる構造単位を有する光半導体素子において、前記第一の層と前記第二の層と前記第三の層が、それぞれ、Al, Ga, Inの少なくとも一つの元素とチッ素と0.5 原子%以上50原子%以下の水素を含む非単結晶材料からなり、前記第二の層の層厚が5〜200 Åである光半導体素子。
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくとも、第一の層と第一の層より光学ギャップの小さい第二の層とを交互に積層し、さらに第二の層の光学ギャップより大きい光学ギャップを有する第三の層を積層してなる構造単位を有する光半導体素子において、前記第一の層と前記第二の層と前記第三の層が、それぞれ、Al, Ga,Inの少なくとも一つの元素とチッ素と0.5 原子%以上50原子%以下の水素を含む非単結晶材料からなり、前記第二の層の層厚が5〜200 Åであることを特徴とする光半導体素子。
IPC (2)：
H01L 31/10 ,  H01L 31/04
FI (2)：
H01L 31/10 A ,  H01L 31/04 E
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 特開平2-192772
  • 特開昭62-069691
  • 特開昭62-054978
Show all
Cited by examiner (9)
  • 特開平2-192772
  • 特開平2-192772
  • 特開昭62-069691
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM