空間光変調素子およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡部剛 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995206832
Publication number (International publication number)：1997033942
Application date： Jul. 21, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】光導電体のインピーダンスを制御するとともに、透明電極を含めた部材の性能を良好に保ち、光変調部材を良好に動作させることができる空間光変調素子を提供する。【解決手段】対向する2つの透光性電極と光変調部材と光導電部材とを主構成要素とし、光信号によって光変調部材に情報を書き込む空間光変調素子であって、前記光導電部材が、少なくとも水素化アモルファスシリコンからなる光導電層と、窒素を含有し、窒素とケイ素の原子比が非化学量論比である水素化アモルファスシリコンを主体とする補助層とを有する。補助層は、原料ガスとして水素化ケイ素ガスおよび/またはハロゲン化ケイ素ガスと、窒素を含む一種以上のガスを用い、プラズマCVD法により形成する。この空間光変調素子の透光性電極間に交流電圧を印加して光情報の書き込みを行う。

Claim (excerpt)：

対向する2つの透光性電極と光変調部材と光導電部材とを主構成要素とし、光信号によって光変調部材に情報を書き込む空間光変調素子において、前記光導電部材が、少なくとも水素化アモルファスシリコンからなる光導電層と、窒素を含有し、窒素とケイ素の原子比が非化学量論比である水素化アモルファスシリコンを主体とする補助層とを有することを特徴とする空間光変調素子。

IPC (3)：

G02F 1/135 , G02F 1/13 505 , H01L 31/0248

FI (3)：

G02F 1/135 , G02F 1/13 505 , H01L 31/08 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

液晶デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-251921 Applicant：富士ゼロックス株式会社
特開平1-201968

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