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J-GLOBAL ID：200903034514313510
マスクパターンの修正方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤村 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996087586
Publication number (International publication number)：1996314120
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：
【要約】【課題】 下地ガラスとの付着強度が強く、下地ガラスにダメージを与えたり修正膜にクラックを生じさせることなく、耐薬品性に優れ、膜剥れの生じない修正膜を形成できるマスクパターンの修正方法を提供する。【解決手段】 マスクパターンの白欠陥の修正を、レーザCVDにより、Mo(CO)6およびCr(CO)6を原材料として一層目の修正膜24を形成し、この一層目の修正膜を覆うように、Cr(CO)6を原材料として二層目の修正膜26を形成して行う。
Claim (excerpt)：
レーザCVDによるマスクパターンの白欠陥の修正方法において、Mo(CO)6およびCr(CO)6を原材料として一層目の修正膜を形成し、この一層目の修正膜を覆うように、Cr(CO)6を原材料として二層目の修正膜を形成することを特徴とするマスクパターンの修正方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G03F 1/08 W
, H01L 21/30 502 W
