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J-GLOBAL ID：200903034529587535

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor：
浅井 孝祐

About 浅井 孝祐


Applicant, Patent owner：
住友金属工業株式会社

About 住友金属工業株式会社


Agent (1)： 森 道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997042065
Publication number (International publication number)：1998242124
Application date： Feb. 26, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：
【要約】【目的】プラズマ密度を均一化し、試料を均一にエッチングできるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【構成】一端から入射されたマイクロ波が伝播する誘電体層(32)と、この誘電体層(32)に対面して設けられているマイクロ波導入窓(14)と、マイクロ波導入窓(14)に対面するように試料台(15)が配置されている反応容器(11)と、マイクロ波導入窓(14)に近接して試料台に対応する領域にマイクロ波通過孔(13a)を有するマイクロ波分散板(13)を備え、マイクロ波通過孔(13a)の面積の合計が、試料中心(O)よりマイクロ波の入射側の方が進行方向側に比べて小さくなるようにしたプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法。
Claim (excerpt)：
一端から入射されたマイクロ波が伝播する誘電体層と、この誘電体層に対面して設けられているマイクロ波導入窓と、マイクロ波導入窓に対面するように試料台が配置されている反応容器とを備えるプラズマ処理装置であって、マイクロ波導入窓に近接して試料台に対応する領域にマイクロ波通過孔を有するマイクロ波分散板を備え、マイクロ波通過孔の面積の合計が、試料台中心よりマイクロ波の入射側の方が進行方向側に比べて小さいことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (5)：
H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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