Pat
J-GLOBAL ID:200903034532501170

半導体ウェーハを乾燥するための乾燥システム及びこれを用いたウェーハ乾燥方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 服部 雅紀
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001252710
Publication number (International publication number):2002118090
Application date: Aug. 23, 2001
Publication date: Apr. 19, 2002
Summary:
【要約】【課題】 動作サイクルが短く、且つウェーハが外部空気に露出される時間を最小化できる半導体ウェーハを乾燥するための乾燥システムを提供する。【解決手段】 本発明に係る乾燥システムは、脱イオン水の浴槽と、前記ウェーハを浴槽の内外に垂直的に移動させるエレベータとを含むプロセス浴と、乾燥済みのウェーハが載置されるアンローディングステージと、蓋体胴体の底面に開口し且つウェーハを収容するように形成されたキャビティを構成する蓋体胴体と、前記キャビティ内に配置され、ウェーハを保持/解放するように作動するウェーハチャックと、前記蓋体胴体と一体に形成され、且つ前記キャビティと対向するガス供給開口部を有し、前記ウェーハチャックにより前記キャビティ内に保持されたウェーハにガスを注入できるガス供給部と、前記プロセス浴と前記アンローディングステージとの間で前記蓋体胴体を移動させる駆動手段とを含む蓋体と、を備える。
Claim (excerpt):
半導体素子の製造時に半導体ウェーハを乾燥するための乾燥システムであって、脱イオン水の浴槽と、前記ウェーハを浴槽の内外に垂直的に移動させるエレベータとを含むプロセス浴と、乾燥済みのウェーハが載置されるアンローディングステージと、蓋体胴体の底面に開口し且つウェーハを収容するように形成されたキャビティを構成する蓋体胴体と、前記キャビティ内に配置され、ウェーハを保持/解放するように作動するウェーハチャックと、前記蓋体胴体と一体に形成され、且つ前記キャビティと対向するガス供給開口部を有し、前記ウェーハチャックにより前記キャビティ内に保持されたウェーハにガスを注入できるガス供給部と、前記プロセス浴と前記アンローディングステージとの間で前記蓋体胴体を移動させる駆動手段とを含む蓋体と、を備えることを特徴とする半導体ウェーハを乾燥するための乾燥システム。
IPC (2):
H01L 21/304 651 ,  H01L 21/304
FI (2):
H01L 21/304 651 L ,  H01L 21/304 651 G
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 基板の洗浄・乾燥装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-207580   Applicant:株式会社カイジョー
  • ウェーハ洗浄装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-275807   Applicant:新日本製鐵株式会社, 株式会社高田工業所
  • 特開平2-222558
Show all

Return to Previous Page