ハイブリッド型半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：四宮通
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997256041
Publication number (International publication number)：1999087682
Application date： Sep. 04, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 2つの半導体基板の熱膨張係数の差に起因して生ずるストレスによる接続不良を防止する。【解決手段】 Si基板11とInSb基板12とが、複数の接続部22を介して互いに電気的及び機械的に接続される。接続部22は、Cu薄膜23で形成された板バネとして構成される。Cu薄膜23は、Si基板11側から平板状に斜め立ち上がり、更にInSb基板12側の接続パッド17の下面に沿って延びる。このCu薄膜23における接続パッド17の下面に沿った部分は、接続パッド17の下面に接合される。

Claim (excerpt)：

所定の素子が形成された第1の半導体基板と、所定の素子が形成された第2の半導体基板とを、複数の接続部を介して互いに電気的及び機械的に接続したハイブリッド型半導体装置において、前記複数の接続部がバネ性を有するように構成されたことを特徴とするハイブリッド型半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 , H01L 27/14

FI (2)：

H01L 27/14 E , H01L 27/14 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭55-150279
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-331628 Applicant：富士通株式会社
特開平4-316340

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