半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997252448
Publication number (International publication number)：1999097683
Application date： Sep. 17, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜等の信頼性を高めて、素子の信頼性や特性の向上をはかる。【解決手段】半導体基板1表面にハロゲン元素を含有したゲート絶縁膜3を介して形成されたゲート電極4と、ゲート電極4の両端部に対応して形成されたソース・ドレイン拡散領域7a、7bとを少なくとも有し、ゲート絶縁膜3の半導体基板1との界面近傍及びゲート電極4との界面近傍のハロゲン元素の濃度が、ゲート絶縁膜の膜厚方向中央部近傍のハロゲン元素の濃度と同等又はそれ以上となっている。

Claim (excerpt)：

半導体上にハロゲン元素を含有した絶縁膜を介して形成された電極と、この電極の両端部に対応して形成された不純物拡散領域とを少なくとも有し、前記絶縁膜の前記半導体との界面近傍及び前記電極との界面近傍のハロゲン元素の濃度が該絶縁膜の膜厚方向中央部近傍のハロゲン元素の濃度と同等又はそれ以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-237024
半導体装置の製造方法および製造設備
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-161411 Applicant：株式会社日立製作所
特開平3-198337

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