多層デバイスを形成するための熱転写素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000593483
Publication number (International publication number)：2002534782
Application date： May. 24, 1999
Publication date： Oct. 15, 2002
Summary：

【要約】多層デバイスを形成する熱転写素子は、基板と、受容体に転写される場合に、多層デバイスの第1動作層と第2動作層とを形成するように構成され配置される多成分転写ユニットと、を含んでよい。少なくともいくつかの例では、熱転写素子は、多成分転写ユニットを転写するために光エネルギを熱エネルギに変換することができる光-熱変換(LTHC)層も含む。受容体に多成分転写ユニットを転写することは、基板と転写層とを有する熱転写素子に受容体を接触させることを含む。そして、熱転写素子が選択的に加熱されることにより、デバイスの少なくとも第1および第2動作層を形成するようにパターンに従って多成分転写ユニットが受容体に転写される。しばしば、熱転写素子が基板と転写層との間にLTHC層を含む場合、熱転写素子をパターンに従って光によって照明することができ、光エネルギが熱エネルギに変換されることによって熱転写素子が選択的に加熱される。

Claim (excerpt)：

熱転写素子であって、基板と、受容体に転写される場合に、多層デバイスの第1動作層と第2動作層とを形成するように構成され配置されており、該第1動作層が荷電担体を伝導するかまたは生成するように構成され配置される多成分転写ユニットと、を具備する熱転写素子。

IPC (6)：

H05B 33/10 , G02B 6/13 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H05B 33/12 , H05B 33/14

FI (5)：

H05B 33/10 , H05B 33/12 B , H05B 33/14 A , G02B 6/12 M , H01L 29/78 627 C

F-Term (40)：

2H047KA04 , 2H047PA01 , 2H047PA22 , 2H047PA28 , 2H047QA04 , 2H047QA05 , 2H047TA43 , 3K007AB04 , 3K007AB18 , 3K007CA01 , 3K007CB01 , 3K007DA01 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 5F110AA16 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE41 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF21 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG41 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK31 , 5F110QQ06 , 5F110QQ30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

エレクトロ・ルミネセンス素子の製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-158762 Applicant：キヤノン株式会社
電場発光表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-204911 Applicant：株式会社日立製作所
有機電子発光素子有機薄膜用ドナーフィルム及びこれを用いた有機電子発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-355791 Applicant：三星電管株式會社

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