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J-GLOBAL ID：200903008367366253

エレクトロ・ルミネセンス素子の製造法

Inventor： 栗林 正樹 ,  上野 和則 ,  橋本 雄一 ,  妹尾 章弘
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997158762
Publication number (International publication number)：1999008065
Application date： Jun. 16, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 三原色発光の有機エレクトロ・ルミネセンスを同一基板上に形成する時、全工程にわたって、大気に晒すことなく、真空中、減圧空間内又は乾燥窒素雰囲気中で、実施できる様になしたエレクトロ・ルミネセンスの製造法を提供することにある。【解決手段】 結晶シリコン基板の表面を多孔質化させ、多孔質シリコン膜を形成し、該多孔質シリコン膜上に第1導電膜を形成し、該第1導電膜上にエレクトロ・ルミネセンス膜を形成し、該エレクトロ・ルミネセンス膜上に第2導電膜を形成し、第1導電層と、エレクトロ・ルミネセンス膜と、第2導電膜との積層体を単結晶シリコン基板から剥離し、該積層体を第1基材上に設けることを特徴とするエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。

Claim (excerpt)：

結晶シリコン基板の表面を多孔質化させ、多孔質シリコン膜を形成し、該多孔質シリコン膜上に第1導電膜を形成し、該第1導電膜上にエレクトロ・ルミネセンス膜を形成し、該エレクトロ・ルミネセンス膜上に第2導電膜を形成し、第1導電層と、エレクトロ・ルミネセンス膜と、第2導電膜との積層体を単結晶シリコン基板から剥離し、該積層体を第1基材上に設けることを特徴とするエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。

IPC (3)：

H05B 33/10 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/02

FI (3)：

H05B 33/10 ,  G09F 9/30 365 B ,  H05B 33/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• EL素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-116999   Applicant：日亜化学工業株式会社