エレクトロ・ルミネセンス素子の製造法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：丸島儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997158762
Publication number (International publication number)：1999008065
Application date： Jun. 16, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】三原色発光の有機エレクトロ・ルミネセンスを同一基板上に形成する時、全工程にわたって、大気に晒すことなく、真空中、減圧空間内又は乾燥窒素雰囲気中で、実施できる様になしたエレクトロ・ルミネセンスの製造法を提供することにある。【解決手段】結晶シリコン基板の表面を多孔質化させ、多孔質シリコン膜を形成し、該多孔質シリコン膜上に第1導電膜を形成し、該第1導電膜上にエレクトロ・ルミネセンス膜を形成し、該エレクトロ・ルミネセンス膜上に第2導電膜を形成し、第1導電層と、エレクトロ・ルミネセンス膜と、第2導電膜との積層体を単結晶シリコン基板から剥離し、該積層体を第1基材上に設けることを特徴とするエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。

Claim (excerpt)：

結晶シリコン基板の表面を多孔質化させ、多孔質シリコン膜を形成し、該多孔質シリコン膜上に第1導電膜を形成し、該第1導電膜上にエレクトロ・ルミネセンス膜を形成し、該エレクトロ・ルミネセンス膜上に第2導電膜を形成し、第1導電層と、エレクトロ・ルミネセンス膜と、第2導電膜との積層体を単結晶シリコン基板から剥離し、該積層体を第1基材上に設けることを特徴とするエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。

IPC (3)：

H05B 33/10 , G09F 9/30 365 , H05B 33/02

FI (3)：

H05B 33/10 , G09F 9/30 365 B , H05B 33/02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

EL素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-116999 Applicant：日亜化学工業株式会社
基体から素子形成層を分離する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-037655 Applicant：ソニー株式会社
半導体基板の作製方法及び半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-205269 Applicant：キヤノン株式会社

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Cited by examiner (1)

EL素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-116999 Applicant：日亜化学工業株式会社

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