半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998175971
Publication number (International publication number)：1999074433
Application date： Jun. 23, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、半導体チップ上の電極を、半導体チップの上方に設けられ半導体チップを制御する信号を発生する制御基板の配線パターンと、ボンディングワイヤ等により直接接続することを特徴とする。【解決手段】金属ベース1上には絶縁配線基板2が固着され、この絶縁配線基板2上の配線パターン上には半導体チップ3が載置されている。半導体チップ3上には制御基板11が設けられており、この制御基板11で発生される信号は、制御基板11に設けられた開口部13を通るボンディングワイヤ6bを経由して半導体チップ3に供給される。

Claim (excerpt)：

金属ベースと、上記金属ベース上に固着された絶縁配線基板と、上記絶縁配線基板上に固着され、上面に制御電極を有する少なくとも1個の半導体チップと、上記半導体チップの上方に設置され、半導体チップを制御するための制御回路を構成する複数の部品が搭載され、かつ複数の複数の配線パターンが形成された制御用基板と、上記半導体チップの制御電極と上記制御用基板の配線パターンとをそれぞれ電気的に接続するボンディングワイヤとを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/48 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (2)：

H01L 23/48 G , H01L 25/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

混成集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-066739 Applicant：三洋電機株式会社
パワー半導体モジュール及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-208585 Applicant：エイビービーリサーチリミテッド

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