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J-GLOBAL ID:200903049932800971

パワー半導体モジュール及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 稔 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996208585
Publication number (International publication number):1997107068
Application date: Aug. 07, 1996
Publication date: Apr. 22, 1997
Summary:
【要約】【課題】 平面の平行度の要求が厳しくないパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】 パワー半導体モジュール(1) は、少なくとも1つの半導体チップ(2) を有し、この半導体チップがベースプレート(5) 上に装着されさらに各コンタクト・プランジャ(8) と接触している。コンタクト・プランジャの位置は、半導体チップとコンタクト・プランジャを収納する主接続部(7) との距離に対応するように個別に設定することができる。コンタクト・プランジャは、スプリング(18)により圧力を加えらてもよいし、又は、ハンダ層(9) により固定されてもよい。
Claim (excerpt):
少なくとも1つの半導体チップ(2) を有し、この半導体チップが少なくとも2つの電極である第1主電極(4) と第2主電極(3) を有し、半導体チップが第1主電極(4) によりベースプレート(5) に装着されており、第1及び第2の主接続部(6,7) を有し、これらの第1及び第2の主接続部が対応する上記第1及び第2の主電極(4,3) に電気的に接続されており、この第1主接続部(6) はベースプレート(5) 及び1又はそれ以上のコンタクト・プランジャ(8) を有する第2主接続部(7) と電気的に接続され、このコンタクト・プランジャは半導体チップ(2) の第2主電極(3) と電気的に接続されているパワー半導体モジュール(1) であって、上記コンタクト・プランジャ(8) の位置が、半導体チップ(2)と第2主接続部(7) との間の距離に対応するように設定され、さらに、上記コンタクト・プランジャ(8) の位置を固定する手段(9,10;17,18)が設けられていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開平4-311064
  • 熱伝達冷却装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-234884   Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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