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J-GLOBAL ID：200903034809449502

半導体装置およびその製造方法ならびにバイポーラトランジスタ

Inventor： 川崎 洋司 ,  高橋 武人 ,  村上 隆志
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994200957
Publication number (International publication number)：1996078674
Application date： Aug. 25, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 不純物の電気的活性化のための熱処理によって不純物が拡散するのを有効に抑制し得る半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 p型のソース/ドレイン領域6aおよび6bの接合深さと同等以上の深さを有する窒素注入領域7aおよび7bをソース/ドレイン領域6aおよび6bの接合領域の全域に沿って形成する。

Claim (excerpt)：

主表面を有する第1導電型の半導体領域と、前記半導体領域の主表面上にチャネル領域を挟むように所定の間隔を隔てて形成された所定の接合深さを有する第2導電型の1対のソース/ドレイン領域と、前記ソース/ドレイン領域の接合深さと同等以上の深さを有し、前記ソース/ドレイン領域の接合領域の全域に沿って形成され、窒素,フッ素,アルゴン,酸素,炭素からなる群より選ばれた1つを含む注入層と、前記チャネル領域上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極とを備えた、半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265

FI (5)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 W ,  H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-197248   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平3-066165
  
• 特開平3-046238