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J-GLOBAL ID：200903034820725341

半導体レーザ素子

Inventor： 大林 健 ,  須山 尚宏 ,  ▲吉▼田 智彦 ,  近藤 雅文 ,  細羽 弘之 ,  兼岩 進治 ,  幡 俊雄
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992050054
Publication number (International publication number)：1993251813
Application date： Mar. 06, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低閾値電流、低雑音でかつ、レーザ放射光の楕円率の良好な半導体レーザ素子を提供する。【構成】 下部第一クラッド層13a、43aの下側、あるいは上部第一クラッド層17a、47aの上側の少なくとも一方に、近接する第一クラッド層の屈折率より高い第二クラッド層13b、17b、22、43b、47bを形成する。このため、光の大半を活性層15、45及び光ガイド層14、16、44、46に閉じ込めつつ、残りの光は広く分布される。従って、SCH構造、GRIN-SCH構造によって得られた高い活性層15、45への光閉じ込め係数をほとんど変えずに、活性層15、45と光ガイド層14、16、44、46の成長界面に垂直方向の遠視野像を小さくすることが可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に下部第一クラッド層、下部光ガイド層、活性層、上部光ガイド層、上部第一クラッド層が順次積層され、且つ、該各層の屈折率が大きい順に活性層、光ガイド層、第一クラッド層となっている半導体レーザ素子であって、該下部第一クラッド層の下側、あるいは該上部第一クラッド層の上側の少なくとも一方に、近接する第一クラッド層の屈折率より高い屈折率を有する第二クラッド層を形成した半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-012885
  
• レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-036745   Applicant：イーストマン・コダックジャパン株式会社
• 特開昭56-040294
  
• 特開平2-078290