オゾン・活性炭処理における中塩素注入制御装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996287842
Publication number (International publication number)：1998128340
Application date： Oct. 30, 1996
Publication date： May. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】オゾン・活性炭処理における中塩素混和池での最適な中塩素注入処理を実施するための制御装置を提供することを目的とする。【解決手段】オゾン処理と生物活性炭処理の終了した原水1中のアンモニア性窒素濃度をアンモニア計7で測定するとともに、急速濾過池6からの濾過水20の残塩プロセス値を残塩計9で測定し、演算により原水に対するオゾン処理と生物活性炭処理が不充分であった場合の塩素要求量と、後段での水質制御の仕上げ用としての塩素要求量とを求めて、中塩素混和池5での中塩素注入量を決定する。実施に際してはアンモニア計7の測定値に基づくFF信号と、残塩計9の測定した残塩プロセス値と予め設定された残塩目標値10とから求めたFB信号により中塩素混和池5への中塩素注入量を決定する。

Claim (excerpt)：

原水を沈澱池で懸濁物の凝集,沈澱,分離を行い、オゾン処理により水中の溶存性の微量有機物質を除去してから生物活性炭処理により色度成分等を除去し、中塩素混和池での中塩素注入処理を行ってから急速濾過池で急速濾過して、この濾過水に後塩素注入処理を行うようにした制御装置において、上記オゾン処理と生物活性炭処理の終了した原水中のアンモニア性窒素濃度を測定するとともに、急速濾過池からの濾過水の残塩プロセス値を測定し、演算により原水に対するオゾン処理と生物活性炭処理が不充分であった場合の塩素要求量と、後段での水質制御の仕上げ用としての塩素要求量とを求めて、前記中塩素混和池での中塩素注入量を決定することを特徴とするオゾン・活性炭処理における中塩素注入制御装置。

IPC (11)：

C02F 1/50 510 , C02F 1/50 520 , C02F 1/50 531 , C02F 1/50 540 , C02F 1/50 550 , C02F 1/50 , C02F 1/50 560 , C02F 1/28 , C02F 1/76 , C02F 1/78 , C02F 3/06 ZAB

FI (13)：

C02F 1/50 510 A , C02F 1/50 520 C , C02F 1/50 531 M , C02F 1/50 540 B , C02F 1/50 550 H , C02F 1/50 550 L , C02F 1/50 560 B , C02F 1/50 560 H , C02F 1/50 560 Z , C02F 1/28 D , C02F 1/76 A , C02F 1/78 , C02F 3/06 ZAB

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平3-249990
中塩素注入制御装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-276444 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立情報制御システム

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