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J-GLOBAL ID：200903034849112624

電気化学的分子メモリー装置で使用するモルホール埋め込み3Dクロスバー構造

Inventor： クアー、 ワーナー、 ジー. ,  ボシアン、 デイビッド、 エフ. ,  リウ、 ジミン ,  ヤッセリ、 アミア
Applicant, Patent owner： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
Agent (3)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003582835
Publication number (International publication number)：2005520348
Application date： Oct. 07, 2002
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：

基材上に直接形成された銀層アレー、前記銀の導体アレーを被覆する絶縁体および前記絶縁体の最上部に付着された金のアレーを含む電気化学的アレーが提供される。金の導体アレーが銀の導体アレーとオーバーラップする領域にウェルが形作られ、前記ウェルの壁および/または床に導体リングが形成される。続いて、各ウェル内の1つまたは2つ以上の導体の表面に分子を結合させることができる。

Claim (excerpt)：

電気化学的セルアレーであって、前記セルアレーが複数のナノスケールの電気化学的セルを含み、ここで前記アレーを構成するセルは約1μm2未満の断面積を有するウェルであり、前記ウェルの壁は第一の電極および第二の電極を含み、前記第一の電極および第二の電極は不導体または半導体によって分離され、前記ウェルの内部に暴露される前記第一の電極の表面積と前記ウェルの内部に暴露される前記第二の電極の表面積との比は少なくとも約2:1である前記電気化学的セルアレー。

IPC (6)：

H01L27/10 ,  C12N15/09 ,  G01N27/416 ,  G01N33/483 ,  G01N37/00 ,  H01L51/00

FI (6)：

H01L27/10 449 ,  G01N33/483 F ,  G01N37/00 102 ,  H01L29/28 ,  C12N15/00 F ,  G01N27/46 336M

F-Term (20)：

2G045DA13 ,  2G045DA36 ,  2G045FB03 ,  2G045FB05 ,  4B024AA11 ,  4B024CA02 ,  4B024CA04 ,  4B024CA09 ,  4B024CA12 ,  4B024HA12 ,  4B024HA19 ,  5F083FZ07 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA51 ,  5F083PR03 ,  5F083PR04 ,  5F083PR05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• マイクロ電極システム
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-549953   Applicant：センサーフレックス・リミテッド
• 高密度の不揮発性記憶デバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-508444   Applicant：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア, ノースカロライナステイトユニバーシティ