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J-GLOBAL ID：200903034862828027

漸変組成の発光層を有する半導体発光装置

Inventor： ユー チェン シェン ,  マイケル アール クレイムズ ,  ネイサン エフ ガードナー
Applicant, Patent owner： フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー
Agent (4)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005342797
Publication number (International publication number)：2006352060
Application date： Oct. 28, 2005
Publication date： Dec. 28, 2006
Summary：

【課題】半導体発光装置の活性領域の光出力を向上させる技術を提供する。【解決手段】半導体発光装置内のIII族窒化物発光層は、漸変する組成を有する。発光層の組成は、第1の元素の組成の変化が発光層のオングストロームあたり少なくとも0.2%であるように漸変させることができる。発光層内で漸変させることは、発光層内の偏光場に付随する問題を低減することができる。発光層は、例えば、InxGa1-xN、AlxGa1-xN、又はInxAlyGa1-x-yNとすることができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1の元素の漸変する組成を有し、n型領域とp型領域の間に配置されたIII族窒化物発光層、 を含み、 前記発光層内の前記第1の元素の組成の変化は、該発光層の厚みに亘って0.2%/オングストロームよりも大きく、かつ1%/オングストロームよりも小さい、 ことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (7)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 米国特許第6,515,313号
  
• 米国特許出願公報2003/0020085
  
• 米国特許出願出願番号第09/912,589号
  
• 米国特許出願出願番号第10/804,810号
  

Cited by examiner (2)

• III族窒化物光電子半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-194733   Applicant：シャープ株式会社
• 勾配組成活性領域を有する発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-215461   Applicant：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー