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J-GLOBAL ID：200903020073476948

勾配組成活性領域を有する発光ダイオード

Inventor： デイヴィッド ピー ブール ,  ナサン エフ ガードナー ,  ワーナー ケイ ゲッツ ,  スティーブン エイ ストックマン ,  テツヤ タケウチ ,  グーラム ハスネン ,  クリストファー ピー ココット ,  マーク アール ヒューシェン
Applicant, Patent owner： ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー
Agent (1)： 中村 稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002215461
Publication number (International publication number)：2003060232
Application date： Jul. 24, 2002
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、発光デバイスにおいて活性領域の光出力を向上させることに関する。【解決手段】 本発明の実施の形態による発光デバイスは、第1の面を有する第1導電型の第1半導体層、及び第1半導体層の上に重なって形成された活性領域を含む。活性領域は、量子井戸層又は障壁層のいずれかである第2半導体層を含む。第2半導体層は、第1半導体層の第1の面にほぼ垂直な方向に勾配付けされた組成を有する半導体合金から形成される。発光デバイスはまた、活性領域の上に重なって形成された第2導電型の第3半導体層も含む。

Claim (excerpt)：

第1の面を有する第1の導電型の第1半導体層と、量子井戸層及び障壁層の一つであり、かつ前記第1半導体層の前記第1の面にほぼ垂直な方向に勾配付けされた組成を有するIII族窒化物半導体合金から形成された第2半導体層を含む、前記第1半導体層の上に重なる活性領域と、前記活性領域の上に重なる第2の導電型の第3半導体層と、を含むことを特徴とする発光デバイス。

F-Term (5)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化物系半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-021333   Applicant：株式会社東芝
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-135288   Applicant：松下電器産業株式会社
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082510   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-075682   Applicant：三洋電機株式会社