シリコンウェーハの熱処理方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：波多野久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998223158
Publication number (International publication number)：2000058552
Application date： Aug. 06, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】水素を用いた高温アニールの利点を活用しつつ、熱処理炉用部材などからの金属不純物によるウェーハ汚染を抑制する。【解決手段】シリコンウェーハの熱処理方法では、縦型拡散炉を使用し、その石英製炉心管内のウェーハ保持用ボート上にシリコンウェーハを積載し、このウェーハに対して水素とアルゴンとの混合雰囲気中で高温アニールを実施する。得られたウェーハの金属不純物の濃度(SPV法によるFe-B濃度)を測定したところ、水素の混合比率が100%(すなわち水素のみの従来例)と比べて、50%(実施例1)、25%(実施例2)、および10%(実施例3)と低くなる程、ウェーハ外周部のFe-B濃度も低くなることが確認された。

Claim (excerpt)：

ウェーハ保持用のシリコン製ボート上にシリコンウェーハを積載し、このウェーハに対して水素とアルゴンとの混合雰囲気中で高温アニールを実施することを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/324 , H01L 21/322

FI (3)：

H01L 21/324 X , H01L 21/324 Q , H01L 21/322 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

シリコンウエハの熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-314617 Applicant：東芝セラミツクス株式会社
半導体装置の熱処理装置及び熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-275373 Applicant：株式会社東芝

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