発光素子用量子ドットシリケート薄膜の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：磯野道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004188289
Publication number (International publication number)：2005039251
Application date： Jun. 25, 2004
Publication date： Feb. 10, 2005
Summary：

【課題】機械的安定性および熱的安定性に優れた量子ドットシリケート薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】湿式方法で製造された1〜100nmの半導体量子ドットの表面を、ホスフィン系作用基、アミン系作用基およびチオール系作用基から選ばれる少なくとも1種の作用基と、ゾル-ゲル反応性基とを有するシラン化合物で置換した後、置換された量子ドットをゾル-ゲル反応させてから基板上にコーティングし、あるいは基板上にコーティングしてからゾル-ゲル反応させて熱処理する段階を含む量子ドットシリケート薄膜の製造方法。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

湿式方法で製造された1〜100nmの半導体量子ドットの表面を、ホスフィン系作用基、アミン系作用基およびチオール系作用基から選ばれる少なくとも1種の作用基と、ゾル-ゲル反応性基とを有するシラン化合物で置換した後、置換された量子ドットをゾル-ゲル反応させてから基板上にコーティングし、あるいは基板上にコーティングしてからゾル-ゲル反応させて熱処理する段階を含む量子ドットシリケート薄膜の製造方法。

IPC (7)：

H01L33/00 , C09K11/08 , C09K11/56 , C09K11/88 , C09K11/89 , H01L21/368 , H01L29/06

FI (8)：

H01L33/00 A , C09K11/08 G , C09K11/08 Z , C09K11/56 , C09K11/88 , C09K11/89 , H01L21/368 Z , H01L29/06 601D

F-Term (58)：

4H001CA02 , 4H001CA04 , 4H001CC11 , 4H001XA16 , 4H001XA30 , 4H001XA34 , 4H001XA48 , 4H001XA52 , 4H001XA80 , 4J246AA03 , 4J246AB15 , 4J246BA04X , 4J246BA040 , 4J246BA12X , 4J246BA120 , 4J246BA14X , 4J246BA140 , 4J246BA22X , 4J246BA220 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246BB14X , 4J246BB140 , 4J246BB141 , 4J246CA760 , 4J246CA83X , 4J246CA830 , 4J246CA870 , 4J246FA101 , 4J246FA131 , 4J246FA291 , 4J246FA321 , 4J246FA331 , 4J246FA441 , 4J246FA611 , 4J246GB33 , 4J246GC01 , 4J246GC12 , 4J246HA16 , 5F041AA31 , 5F041CA05 , 5F041CA21 , 5F041CA41 , 5F041CA67 , 5F041CA73 , 5F041CA77 , 5F041CB36 , 5F053AA03 , 5F053AA06 , 5F053DD14 , 5F053DD15 , 5F053DD16 , 5F053DD20 , 5F053FF10 , 5F053HH04 , 5F053HH05 , 5F053LL01 , 5F053RR11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

米国特許第6251303号明細書
米国特許第6444143号明細書
米国特許第5751018号明細書

Cited by examiner (3)

半導体超微粒子を含有するガラス組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-293694 Applicant：三菱化学株式会社
半導体超微粒子を含有する塗布組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-306965 Applicant：三菱化学株式会社
硫化物シェルを有するカルコゲン化亜鉛半導体超微粒子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-138102 Applicant：三菱化学株式会社

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